半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置及其制造方法。在硅衬底(1)的上表面形成有构成集成电路的多个电路元件，在其上设有钝化膜(3)以及第一保护膜(3)。在硅衬底(1)的上表面周边部设有与集成电路连接的多个连接焊盘(2a、2b)。在第一保护膜(3)的除了周边部之外的上表面设有第二保护膜(7)。在第二保护膜(7)的上表面上设有螺旋形状的薄膜感应元件(11)。在该情况下，第一和第二保护膜(5、7)的合计厚度形成得比较厚，由此能够降低因硅衬底(1)中产生涡流而引起的薄膜感应元件(11)的涡流损失。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：形成有集成电路并且在周边部上设有第一连接焊盘(2a)和第二连接焊盘(2b)的半导体衬底；第一树脂膜(5)，设在上述半导体衬底上；第二树脂膜(7)，设在上述第一树脂膜的至少除了周边部之外的上表面上；薄膜感应元件(11)，设在上述第二树脂膜上；布线(9)，设在上述第一树脂膜和上述第二树脂膜上，一端部与上述第一连接焊盘(2a)连接；薄膜感应元件用布线(10)，设在上述第一树脂膜和上述第二树脂膜上，一端部与上述第二连接焊盘(2b)连接，另一端部与上述薄膜感应元件的外端部连接；第一柱状电极(18)，设在上述布线(9)的连接焊盘部(9a)上；以及第二柱状电极(19)，设在上述薄膜感应元件的内端部上，上述第一树脂膜的厚度和上述第二树脂膜的厚度的合计是10μm～20μm。