| 发明名称 | 一种低损伤高钝化的太阳能电池 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种低损伤高钝化的太阳能电池，具有太阳能电池硅片，所述的太阳能电池硅片正面具有厚度为5～20nm的SiO2薄膜层，所述的SiO2薄膜层正面具有厚度为30～50nm折射率为2.3～2.7的第一氮化硅薄膜层，所述的第一氮化硅薄膜层正面具有厚度为35～50nm折射率为1.8～2.0的第二氮化硅薄膜层。本实用新型提高了电池片的钝化效果，减弱了PECVD对晶体硅表面损伤，降低对太阳波长的反射，提高对光的吸收率，从而提高电池效率。 | ||
| 申请公布号 | CN202616239U | 申请公布日期 | 2012.12.19 |
| 申请号 | CN201220067527.2 | 申请日期 | 2012.02.28 |
| 申请人 | 常州天合光能有限公司 | 发明人 | 张勇 |
| 分类号 | H01L31/0216(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0216(2006.01)I |
| 代理机构 | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人 | 王凌霄 |
| 主权项 | 一种低损伤高钝化的太阳能电池，其特征在于：具有太阳能电池硅片（1），所述的太阳能电池硅片（1）正面具有厚度为5～20nm的SiO2薄膜层（2），所述的SiO2薄膜层（2）正面具有厚度为30～50nm折射率为2.3～2.7的第一氮化硅薄膜层（3），所述的第一氮化硅薄膜层（3）正面具有厚度为35～50nm折射率为1.8～2.0的第二氮化硅薄膜层（4）。 | ||
| 地址 | 213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 | ||