判断离子注入制程段中产生颗粒缺陷的机台的方法

摘要

本发明提供一种判断离子注入制程段中产生颗粒缺陷的机台的方法，包括：提供经过离子注入制程段的半导体衬底；获得所述半导体衬底表面的颗粒缺陷图；确定每一掩膜层对应的颗粒缺陷比，所述颗粒缺陷比为：该半导体衬底的未被该掩膜层覆盖的位置的颗粒缺陷的数目与该半导体衬底的被该掩膜层覆盖的位置的颗粒缺陷的数目的比值；确定颗粒缺陷比最大的掩膜层，该掩膜层对应的离子注入工艺步骤所采用的机台即为产生颗粒缺陷的机台。本发明确定了在离子注入制程段中引起颗粒缺陷的离子注入工艺步骤和采用的离子注入机台。

主权项

一种判断离子注入制程段中产生颗粒缺陷的机台的方法，其特征在于，包括：提供经过离子注入制程段的半导体衬底，所述离子注入制程段包括多个离子注入步骤，每一离子注入步骤采用对应的掩膜层进行；获得所述半导体衬底表面的颗粒缺陷图；确定每一掩膜层对应的颗粒缺陷比，所述颗粒缺陷比为：该半导体衬底的未被该掩膜层覆盖的位置的颗粒缺陷的数目与该半导体衬底的被该掩膜层覆盖的位置的颗粒缺陷的数目的比值；确定颗粒缺陷比最大的掩膜层，该掩膜层对应的离子注入工艺步骤所采用的机台即为产生颗粒缺陷的机台。