一种相变存储器单元及其制备方法

摘要

本发明提供一种相变存储器单元及其制备方法，用于提升相变存储器中相变单元的操作速度；采用在相变存储单元的相变存储材料层中植入一层或几层锑Sb薄膜，以加快相变材料在可逆相变过程中的结晶速率。其中相变材料可以是二元的材料体系，如Ge-Te、Sb-Te等相变材料；也可以是三元的材料体系，如Ge-Sb-Te、Si-Sb-Te、Al-Sb-Te、Ti-Sb-Te等相变材料；诱导结晶层锑薄膜的厚度控制在1-5nm。由于锑原子能够促进相变材料结晶过程中晶粒的生长，因此植入的锑薄膜层能与周围的相变材料形成富锑的相变材料体系，以加快相变材料在结晶过程中的晶化速率，从而有助于提高相变存储器存储单元的操作速度。

主权项

一种相变存储器单元，其包括相变材料层，其特征在于，所述相变材料层中设有至少一层诱导相变材料结晶的锑Sb薄膜。