发明名称 |
一种阵列基板及其制造方法、显示面板 |
摘要 |
本发明提供一种阵列基板及其制造方法、显示面板,属于液晶显示领域。所述阵列基板包括形成在栅绝缘层上的源电极、漏电极和像素电极,所述源电极和漏电极包括至少两层导电层,所述像素电极与所述漏电极直接连接。所述阵列基板的制作方法包括在栅绝缘层上依次沉积至少两层导电层,对所述至少两层导电层进行构图,形成源电极、漏电极和像素电极。本发明的技术方案由于不需要在像素区域形成过孔,从而提高了阵列基板的开口率,进一步地,通过采用透明电极层和金属层形成的叠合层作源电极和漏电极,可以很容易形成源漏电极和栅电极位于有源层同侧的结构,使源漏电极直接与电流通道相连,提高了TFT器件的导电性能。 |
申请公布号 |
CN102832254A |
申请公布日期 |
2012.12.19 |
申请号 |
CN201210333280.9 |
申请日期 |
2012.09.10 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
发明人 |
周伯柱;白明基;操彬彬;赵娜;王文龙;王一军 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;G02F1/1343(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
北京银龙知识产权代理有限公司 11243 |
代理人 |
黄灿;赵爱军 |
主权项 |
一种阵列基板,其特征在于,包括:基板;形成在基板上的栅线和栅电极;形成在形成有栅线和栅电极的基板上的栅绝缘层;形成在栅绝缘层上的源电极、漏电极和像素电极,所述源电极和漏电极包括至少两层导电层,所述像素电极与所述漏电极直接连接;形成在栅绝缘层、源电极和漏电极上的有源层。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |