一种半导体发光器件及电流扩散层的制备方法

摘要

本发明提供一种半导体发光器件中电流扩散层的制备方法，所述方法包括以下步骤：S11、提供一承载所述电流扩散层的外延片，在所述外延片上通过直流电子枪加热蒸发ITO源沉积一ITO薄膜层；S12、在沉积完85-90%厚度的ITO薄膜层的同时，通过脉冲电流电子枪加热蒸发掺杂的ZnO源，控制脉冲电流的占空比，在所述ITO薄膜层上沉积一层间断排列的掺杂的ZnO薄膜，所述掺杂的ZnO薄膜的沉积速率大于ITO薄膜层的沉积速率；S13、在沉积完掺杂的ZnO薄膜层的同时，继续通过直流电子枪加热蒸发ITO源沉积ITO薄膜层，使掺杂的ZnO薄膜层掩埋在ITO薄膜层中。本发明还提供一种半导体发光器件的制备方法。本发明实现了原位的粗化方法，节约了生产成本；同时，不需要使用腐蚀液，提供了安全保障。

主权项

一种半导体发光器件中电流扩散层的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：S11、提供一承载所述电流扩散层的外延片，在所述外延片上通过直流电子枪加热蒸发ITO源沉积一ITO薄膜层；S12、在沉积完85‑90%厚度的ITO薄膜层的同时，通过脉冲电流电子枪加热蒸发掺杂的ZnO源，控制脉冲电流的占空比，在所述ITO薄膜层上沉积一层间断排列的掺杂的ZnO薄膜，所述掺杂的ZnO薄膜的沉积速率大于ITO薄膜层的沉积速率；S13、在沉积完掺杂的ZnO薄膜层的同时，继续通过直流电子枪加热蒸发ITO源沉积ITO薄膜层，使掺杂的ZnO薄膜层掩埋在ITO薄膜层中。