一种锗基MOS器件衬底的表面钝化方法

摘要

本发明公布了一种锗基MOS器件衬底表面钝化方法，属于半导体材料器件领域。该方法首先以半导体锗衬底为基片，对基片进行清洗，以去除表面的有机、无机、金属颗粒污染物以及去除基片表面的自然氧化层；对基片进行氟化硅或者含氟硅氢化合物的等离子体处理，以实现在基片上淀积硅钝化层；最后再淀积一层高K栅介质材料后，退火。本发明可以大大减小锗衬底与栅介质界面处的界面态密度、有效地抑制衬底中的锗向栅介质中扩散，明显提高了钝化效率。

主权项

一种锗基MOS器件衬底表面钝化方法，其实现过程如下：1)以半导体锗衬底为基片；2)对基片进行清洗，以去除表面的有机、无机、金属颗粒污染物；3)去除基片表面的自然氧化层；4)对基片进行氟化硅或者含氟硅氢化合物的等离子体处理，氟化硅的等离子处理过程如下：将SiF4+H2+Ar的混合气体注入到等离子反应腔中，SiF4与H2的流量比为1~20，在基片上淀积硅钝化膜的同时引入氟离子；5）淀积一层高K栅介质材料后，进行退火处理。