在硅片上复合In₂O₃多角分层塔状纳米结构的半导体材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种在硅片上复合In2O3多角分层塔状纳米结构的半导体材料及其制备方法，其材料包括衬底，该衬底采用硅片，其衬底表面生长有In2O3晶体；所述的In2O3晶体具有4～6个角，相邻角顶点之间的距离为17～19μm，每个角的长度为8～10μm；制备方法是以In颗粒作为原料，利用热蒸发方法生长得到In2O3多角分层塔状纳米结构。本发明具有成本低，生长温度低，重复性高等优点，可结合目前成熟的半导体硅集成电路工艺，适合于集成纳米光电子器件的发展。

主权项

一种在硅片上复合In2O3多角分层塔状纳米结构的半导体材料，其特征在于，包括硅片衬底，和生长在所述衬底表面的In2O3晶体；所述In2O3晶体为多角分层塔状纳米结构；其中，所述In2O3晶体具有4～6个角，相邻角顶点之间的距离为17～19μm，每个角的长度为8～10μm。