一种锗基MOS器件衬底的表面钝化方法

摘要

本发明公布了一种锗基MOS器件衬底表面钝化方法，属于半导体材料器件领域。该方法首先对锗衬底进行清洗；随后去除衬底表面的自然氧化层；对锗衬底进行GeF4或含氟锗氢化合物和NH3或NF3的混合气体的等离子体处理，以实现淀积在锗衬底表面淀积氮化锗；淀积高K栅介质，进行退火处理。本发明充分结合氮化锗与氟离子对锗衬底表面钝化的作用，在锗衬底表面淀积氮化锗钝化层的过程中附带引入氟的等离子体处理，有效地减小锗衬底与栅介质界面处的界面态密度、抑制衬底中的锗向栅介质中扩散，明显提高了钝化效果。

主权项

一种锗基MOS器件衬底表面钝化方法，其步骤包括：1）选择半导体锗衬底；2)对上述半导体锗衬底进行清洗，并且去除衬底表面的自然氧化层；3）对上述半导体锗衬底进行GeF4和NH3或NF3的混合气体的等离子体处理；或者对上述半导体锗衬底进行含氟锗氢化合物和NH3或NF3的混合气体的等离子体处理，混合气体的组合是：a)GeF4与NH3；b)GeF4与NF3；c)含氟锗氢化合物与NH3；d)含氟锗氢化合物与NF3；其中，NH3或NF3在混合气体中所占的体积百分比为75%~90%，实现在衬底表面淀积氮化锗的同时引入氟离子；4）淀积高K栅介质，进行退火处理。