| 摘要 |
<p>기억 장치에 기억한 수식과 디바이스 파라미터과 근거하여 연산 장치에서 연산을 행해서, 실리콘층에서의 표면 포텐셜을 산출한다(STEP4). 마찬가지로, 실리콘층이 부분 공핍 상태에 있을 때, 및 완전 공핍 상태에 있을 때의 매립 산화막 하에서의 벌크층의 표면 포텐셜을 각각 산출하고(STEP5, 6), 산출한 실리콘층에서의 표면 포텐셜과, 산출한 벌크층에서의 표면 포텐셜과, 기억 장치에 기억한 수식에 근거하여 연산 장치에서 연산을 행해서, 벌크층에서의 표면 포텐셜을 반복 계산에 의해서 구한다(STEP7). 그리고, 반복 계산에 의해서 구한 벌크층에서의 표면 포텐셜과, 기억 장치에 기억한 수식에 근거하여 연산 장치에서 연산을 행해서, 실리콘층에서의 이면의 포텐셜을 산출한다(STEP8).</p> |
