Vertical type semiconductor and method of the same
摘要
<p>본 발명은 수직형 반도체 소자 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명의 수직형 반도체 소자는 인접한 제 1 필라와 제 2 필라, 제 1 필라의 제 1 측벽 하부에 형성된 제 1 비트라인콘택, 제 1 측벽과 마주보는 제 2 필라의 제 2 측벽 하부에 형성된 제 2 비트라인콘택, 제 1 비트라인콘택과 제 2 비트라인콘택에 공통 연결된 비트라인 및 비트라인에 교차되게 제 1 필라와 제 2 필라의 양측에 형성된 게이트를 포함한다.</p>
