发明名称 METHOD FOR MANUFACTURING OXIDE THIN FILM DEVICE
摘要 <p>본 발명은 산화물 박막 소자의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 성장기판 상에 산화물 박막을 형성하는 단계; 상기 산화물 박막 상에 소자기판을 접합하는 단계; 상기 성장기판에 레이저를 조사하여 성장기판과 산화물 박막을 분리하는 단계; 및 상기 분리된 산화물 박막의 표면에 산소 플라즈마를 가하여 산화 및 표면 처리하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면, 레이저 조사에 의해 발생된 산화물 박막의 표면 결함층이 산소 플라즈마에 의해 산화 및 표면 처리되어 우수한 물성을 가지는 산화물 박막 소자를 제조할 수 있다.</p>
申请公布号 KR101213606(B1) 申请公布日期 2012.12.18
申请号 KR20110043928 申请日期 2011.05.11
申请人 发明人
分类号 H01L41/02;H01L41/16;H01L41/22 主分类号 H01L41/02
代理机构 代理人
主权项
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