发明名称 STRIPPER COMPOSITION FOR PHOTORESIST
摘要 <p>본 발명은 포토레지스트용 스트리퍼 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 유기 아민 화합물, 비점이 적어도 150℃인 극성용매 및 SAM(Self Assembly Monolayer)을 형성하기 위한 화합물을 포함하는 포토레지스트용 스트리퍼 조성물에 관한 것이다.</p>
申请公布号 KR101213731(B1) 申请公布日期 2012.12.18
申请号 KR20090014485 申请日期 2009.02.20
申请人 发明人
分类号 G03F7/42 主分类号 G03F7/42
代理机构 代理人
主权项
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