| 摘要 |
<p>Composant électronique comportant un ensemble de transistors à effet de champ à grille isolée, lesdits transistors (1, 2, 3) appartenant à au moins deux sous-ensembles distincts par leur tension de seuil, dans lequel chaque transistor inclut une grille possédant deux électrodes, à savoir une première électrode enfouie (14) implantée à l'intérieur du substrat où est défini le canal (10) du transistor, et une seconde électrode (20) supérieure disposée au-dessus du substrat, en regard de l'électrode (14) enfouie par rapport au canal (10), et séparée dudit canal par une couche (15) de matériau diélectrique, et dans lequel les électrodes enfouies de l'ensemble des transistors sont formées par un matériau identique, les électrodes supérieures présentant une couche (32, 33, 37) au contact du matériau diélectrique qui est formée de matériaux différents d'un sous-ensemble de transistors à l'autre.</p> |
