| 摘要 |
<p>본 발명은 소오스/드레인 영역의 항복 전압을 증가시키면서 드리프트 영역 파괴를 방지하고 고전압 소자의 동작 특성을 유지하면서 On-채널 특성을 개선시킬 수 있는 고전압 반도체 소자를 제공하고, 이러한 특성을 만족하면서 공정의 난이도를 감소시킬 수 있는 고전압 반도체 소자 제조방법을 제공하기 위한 것으로서, 이를 위해 본 발명은 기판 내에 형성된 웰과, 상기 웰 내에 서로 일정 거리 이격되어 형성된 드리프트 영역과, 상기 드리프트 영역과 상기 웰 간의 경계면으로부터 일정 거리 이격되어 상기 드리프트 영역 내에 각각 형성된 소오스/드레인 영역과, 일부분이 상기 드리프트 영역과 각각 중첩되도록 웰 상부에 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극과 상기 드리프트 영역 간의 중첩 영역에서의 두께가 상기 드리프트 영역 사이 영역에서의 두께보다 두껍도록 상기 소오스/드레인 영역 사이의 상기 웰 표면 상에 형성된 게이트 절연막을 포함하는 고전압 반도체 소자를 제공한다.</p> |
