Verbesserte Emitterstruktur und Verfahren zur Herstellung einer Silicium-Solarzelle mit Heteroübergang

摘要

Es wird ein Verfahren zum Bilden eines Fotoelements beschrieben, welches das Bilden einer Absorptionsschicht eines ersten kristallinen Halbleitermaterials vom ersten Leitungstyp, das epitaxiale Abscheiden einer zweiten kristallinen Halbleiterschicht vom zweiten Leitungstyp, welcher dem ersten Leitungstyp entgegengesetzt ist, und das Abscheiden einer dotierten amorphen oder nanokristallinen Passivierungsschicht vom zweiten Leitungstyp beinhaltet, welcher dem ersten Leitungstyp entgegengesetzt ist. Der erste Leitungstyp kann p-leitend und der zweite Leitungstyp kann n-leitend sein, oder der erste Leitungstyp kann n-leitend und der zweite Leitungstyp kann p-leitend sein. Die Temperatur beim epitaxialen Abscheiden der zweiten kristallinen Halbleiterschicht überschreitet 500°C nicht. Es werden elektrisch mit der Absorptionsschicht und der zweiten kristallinen Halbleiterschicht verbundene Kontakte gebildet.