| 摘要 |
Ein dynamischer Halbleitersensor, der auf einem Schichtsubstrat (1) bestehend aus einem Basissubstrat (2), einer Isolierschicht (3) und einer Halbleiterschicht (4) aufgebaut ist, welche ausgehend vom Basissubstrat (2) in dieser Reihenfolge aufeinander geschichtet sind, wobei der dynamische Halbleitersensor aufweist: einen ersten Kondensator mit einer ersten Auslegerstruktur (10), ausgebildet auf der Halbleiterschicht (4), wobei die erste Auslegerstruktur erste Ausleger (12a bis 12d) und eine erste bewegliche Elektrode (13) aufweist, die von den ersten Auslegern gegenüber dem Basissubstrat (2) gelagert ist, wobei ein Luftspalt (14) zwischen erster beweglicher Elektrode (13) und Basissubstrat vorliegt, so dass sich die erste bewegliche Elektrode (13) in einer Richtung senkrecht zur Oberfläche der Halbleiterschicht (4) bewegt, wenn eine dynamische Kraft auf die erste bewegliche Elektrode einwirkt, während eine erste Trägerspannung an diese angelegt ist und wobei eine erste Kapazität (C1) zwischen der ersten beweglichen Elektrode (13) und dem Basissubstrat (2) gebildet ist; und einen zweiten Kondensator...
|
