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<p>본 발명은 요구되는 유전용량을 확보하고, 캐패시터 형성을 용이하게 하는 반도체 장치의 캐패시터 제조 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명은 기판 상부에 상기 기판을 오픈시키는 개구부를 포함하는 희생막 패턴을 형성하는 단계; 상기 개구부를 매립하는 캡핑막을 형성하는 단계; 상기 희생막 패턴을 제거하는 단계; 상기 캡핑막 사이를 매립하는 플레이트 노드를 형성하는 단계; 상기 캡핑막을 제거하여 상기 개구부를 오픈시키는 단계; 상기 개구부의 측벽에 유전막 및 보호막을 형성하는 단계; 상기 개구부를 매립하는 스토리지 노드를 형성하는 단계를 포함하여, 면적 증가 및 유전용량이 증가되는 효과가 있다. 또한, 공정 마진이 확보되는 효과가 있다.</p> |
