Method for preparing II to VI group semiconductor compound quantum dot or nanoparticles through sonochemical method under multi-bubble sonoluminescence conditions, and method for controlling size of the quantum dot or the nanoparticles

摘要

본 발명은 다중기포 음파발광 조건에서 초음파 발광법을 이용하여 II 내지 VI 족 반도체 양자점 또는 나노입자를 제조하는 방법 및 상기 양자점 또는 나노입자의 크기를 제어하는 방법에 관한 것으로, 다중기포 음파발광 조건에서 초음파 발광법을 이용하여 어떠한 전처리 및/또는 고온 조건 없이 편리하고 간단한 원팟 반응을 통해 고 수율의 II 내지 VI 족 화합물의 양자점을 제조할 수 있다. 또한, 상기 양자점을 소성하여 나노입자로 전환시킬 수 있다. 아울러, 상기 초음파 처리 조건 또는 소성 조건을 제어하여 상기 양자점 또는 나노입자의 크기를 제어하는 효과가 있다.