发明名称 VERFAHREN ZUM REINIGEN METALLURGISCHEN SILIZIUMS
摘要 <p>Ein Verfahren zum Reinigen von Silizium tragenden Materialien für Photovoltaikanwendungen umfasst Bereitstellen metallurgischen Siliziums in eine Schmelztiegelvorrichtung. Das metallurgische Silizium wird wenigstens einem thermischen Prozess unterzogen, um zu bewirken, dass das metallurgische Silizium seinen Zustand von einem ersten Zustand zu einem zweiten Zustand wechselt, wobei der zweite Zustand ein geschmolzener Zustand ist, der 1500°C nicht übersteigt. Wenigstens ein erster Teil von Unreinheiten wird veranlasst aus dem metallurgischen Silizium in dem geschmolzenen Zustand entfernt zu werden. Das geschmolzene metallurgische Silizium wird von einer niedrigeren Region zu einer höheren Region abgekühlt, um zu bewirken, dass sich die niedrigere Region verfestigt, während ein zweiter Teil von Unreinheiten segregiert und sich in einer Flüssigzustandsregion ansammelt. Die Flüssigzustandsregion wird verfestigt, um eine resultierende Siliziumstruktur zu bilden, die eine gereinigte Region und eine Unreinheitsregion aufweist. Die gereinigte Region ist durch eine Reinheit gekennzeichnet, die größer ist als 99,999%.</p>
申请公布号 DE112010004412(T5) 申请公布日期 2012.12.13
申请号 DE20101104412T 申请日期 2010.11.16
申请人 HOSHINO, MASAHIRO;KAO, CHENG C. 发明人 HOSHINO, MASAHIRO;KAO, CHENG C.
分类号 H01L31/18;H01L31/042 主分类号 H01L31/18
代理机构 代理人
主权项
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