摘要 |
Pastenzusammensetzung zum Ausbilden einer elektrisch leitenden Schicht (5, 6, 7) auf einem Silizium-Halbleitersubstrat (1) des p-Typs, welche Aluminiumpulver, ein organisches Trägermaterial und ein Pulver aus mindestens einer anorganischen Verbindung, welche aus einer Gruppe, welche aus einer anorganischen Verbindung auf Oxidbasis und einer anorganischen Verbindung auf Nichtoxidbasis besteht, ausgewählt wird, enthält, wobei die anorganische Verbindung auf Oxidbasis einen Wärmeausdehnungskoeffizienten, welcher kleiner als der Wärmeausdehnungskoeffizient von Aluminium ist, und eine Schmelztemperatur, eine Erweichungstemperatur und eine Zersetzungstemperatur, welche jeweils höher als der Schmelzpunkt von Aluminium sind, aufweist, und die anorganische Verbindung auf Nichtoxidbasis einen Wärmeausdehnungskoeffizienten, welcher kleiner als der Wärmeausdehnungskoeffizient von Aluminium ist, und eine Temperatur aus der Gruppe einer Schmelztemperatur, einer Erweichungstemperatur und einer Zersetzungstemperatur, welche höher als der Schmelzpunkt von Aluminium ist, aufweist, wobei die anorganische Verbindung auf Nichtoxidbasis kein Borid ist.
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申请人 |
TOYO ALUMINIUM K.K.;SHARP K.K. |
发明人 |
WATSUJI, TAKASHI;LAI, GAO-CHAO;MACHIDA, TOMOHIRO;TANAKA, SATOSHI;HIOKI, MASAOMI |