发明名称 Verfahren zum Ausbilden von Resiststruktur und Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung
摘要 Ein Verfahren zum Ausbilden einer verdickten Resiststruktur, umfassend: Ausbilden einer Resiststruktur; Aufbringen eines Resiststrukturverdickungsmaterials über eine Oberfläche der Resiststruktur; Erwärmen des Resiststrukturverdickungsmaterials, um die Resiststruktur zu verdicken, gefolgt von Entwicklung; und Erwärmen der Resiststruktur, die verdickt worden ist, wobei das Resiststrukturverdickungsmaterial ein Harz enthält und eine Verbindung, die durch die folgende allgemeine Formel (1) repräsentiert wird:wobei X eine funktionelle Gruppe ist, die durch die folgende Strukturformel (1) repräsentiert wird, Y wenigstens eine von Hydroxylgruppe, Aminogruppe, mit einer Alkylgruppe substituierte Aminogruppe, Alkoxygruppe, Alkoxycarbonylgruppe und Alkylgruppe ist, m eine ganze Zahl von 1 oder größer ist, und n eine ganze Zahl von 0 oder größer istwobei R1 und R2 identisch oder verschieden sind und jeder ein Wasserstoffatom oder eine Alkylcarbonylgruppe, eine Alkoxycarbonylgruppe oder eine Alkylgruppe ist, Z wenigstens eine von Hydroxylgruppe, Aminogruppe, mit einer Alkylgruppe substituierte Aminogruppe und Alkoxygruppe ist; und wobei das...
申请公布号 DE102007001796(B4) 申请公布日期 2012.12.13
申请号 DE200710001796 申请日期 2007.01.05
申请人 FUJITSU LTD. 发明人 NOZAKI, KOJI;KOZAWA, MIWA
分类号 G03F7/00;G03F7/40 主分类号 G03F7/00
代理机构 代理人
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