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Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung enthält das Bilden einer Sourceelektrode (2) und einer Drainelektrode (3) auf der Vorderfläche eines Halbleitersubstrats (1), das für sichtbares Licht transparent ist, das Bilden einer vorderseitigen Gateelektrode (4) zwischen der Sourceelektrode und der Drainelektrode auf der Vorderfläche des Halbleitersubstrats, das Bilden einer Ausrichtmarke (5) auf einem Bereich der Vorderfläche des Halbleitersubstrats, der ein anderer ist als der Bereich zwischen der Sourceelektrode und der Drainelektrode, das Ausrichten des Halbleitersubstrats auf der Grundlage der Ausrichtmarke, die durch das Halbleitersubstrat hindurch sichtbar ist, und das Bilden einer rückseitigen Gateelektrode (6) auf der Rückfläche des Halbleitersubstrats an einer Stelle, die der vorderseitigen Gateelektrode gegenüberliegt.
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