| 摘要 |
<p>일 실시 형태에 따르면, 반도체 발광 소자는 제1 층과, 제2 층과, 발광부를 포함한다. 상기 제1 층은 n형 GaN과 n형 AlGaN 중 적어도 어느 하나를 포함한다. 상기 제2 층은 p형 AlGaN을 포함한다. 상기 발광부는 단일 양자 웰 구조를 갖는다. 상기 단일 양자 웰 구조는, 제1 장벽층과, 제2 장벽층과, 웰층을 포함한다. 상기 제1 장벽층은 상기 제1 층과 상기 제2 층 사이에 구비되고, AlGaInN(0 <x1, 0≤y1, x1+y1 <1)을 포함한다. 상기 제2 장벽층은 상기 제1 장벽층과 상기 제2 층 사이에 구비되고, AlGaInN(0 <x2, 0≤y2, x2+y2 <1)을 포함한다. 상기 웰층은 상기 제1 장벽층과 상기 제2 장벽층 사이에 구비되고, AlGaInN(0≤x0, 0 <y0, x0+y0 <1, y1 <y0, y2 <y0)을 포함하고, 근자외광을 방출하도록 구성된다.</p> |
