| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 半导体装置包括层间绝缘膜、突出形成于层间绝缘膜上且由主成分为铜的材料构成的配线、为覆盖配线而形成的钝化膜。钝化膜由从配线侧依次层叠第一氮化膜、中间膜及第二氮化膜所形成的层叠膜构成。中间膜由不同于第一及第二氮化膜的绝缘材料(例如氧化物)构成。 | ||
| 申请公布号 | CN102822958A | 申请公布日期 | 2012.12.12 |
| 申请号 | CN201180015812.8 | 申请日期 | 2011.04.01 |
| 申请人 | 罗姆股份有限公司 | 发明人 | 中尾雄一;太田直男 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 刘建 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：层间绝缘膜；突出形成于所述层间绝缘膜上且由主成分为铜的材料构成的配线；以及为覆盖所述配线而形成的钝化膜，所述钝化膜由从所述配线侧依次层叠第一氮化膜、中间膜及第二氮化膜所形成的层叠膜构成，所述中间膜由不同于所述第一氮化膜及第二氮化膜的绝缘材料构成。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||