发明名称 晶体硅太阳能电池
摘要 本实用新型公开一种晶体硅太阳能电池,包括硅片(1),在硅片(1)的迎光面发射极上依次设置有二氧化硅(SiO2)层(2)、三氧化二铝(Al2O3)钝化层(3)和减反射层(4),硅片(1)的背面上依次设置有二氧化硅(SiO2)层(5)和三氧化二铝(Al2O3)钝化层(6),所述背面上的减反射层(4)为α-SiNX:H层;本实用新型利用激光掺杂的方法实现了选择性发射极层,减少了表面复合,极大地提升了电池效率;充分利用三氧化二铝(Al2O3)与硅片结合钝化效果好的特点,增加背反射,提高背面反射率;硅片背面的三氧化二铝(Al2O3)层有效地代替了铝背场,降低成本的同时防止硅片弯曲,降低破片率。
申请公布号 CN202601629U 申请公布日期 2012.12.12
申请号 CN201220238684.5 申请日期 2012.05.25
申请人 中节能太阳能科技有限公司 发明人 范维涛;勾宪芳;姜利凯;王鹏;宋爱珍;曹华斌
分类号 H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I 主分类号 H01L31/0224(2006.01)I
代理机构 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人 缪友菊
主权项 一种晶体硅太阳能电池,包括硅片(1),其特征在于,在所述硅片(1)的迎光面发射极上依次设置有二氧化硅层(2)、三氧化二铝钝化层(3)和减反射膜层(4),所述硅片(1)的背面上依次设置有二氧化硅层(5)和三氧化二铝钝化层(6)。
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