发明名称 |
晶体硅太阳能电池 |
摘要 |
本实用新型公开一种晶体硅太阳能电池,包括硅片(1),在硅片(1)的迎光面发射极上依次设置有二氧化硅(SiO2)层(2)、三氧化二铝(Al2O3)钝化层(3)和减反射层(4),硅片(1)的背面上依次设置有二氧化硅(SiO2)层(5)和三氧化二铝(Al2O3)钝化层(6),所述背面上的减反射层(4)为α-SiNX:H层;本实用新型利用激光掺杂的方法实现了选择性发射极层,减少了表面复合,极大地提升了电池效率;充分利用三氧化二铝(Al2O3)与硅片结合钝化效果好的特点,增加背反射,提高背面反射率;硅片背面的三氧化二铝(Al2O3)层有效地代替了铝背场,降低成本的同时防止硅片弯曲,降低破片率。 |
申请公布号 |
CN202601629U |
申请公布日期 |
2012.12.12 |
申请号 |
CN201220238684.5 |
申请日期 |
2012.05.25 |
申请人 |
中节能太阳能科技有限公司 |
发明人 |
范维涛;勾宪芳;姜利凯;王鹏;宋爱珍;曹华斌 |
分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I |
代理机构 |
南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 |
代理人 |
缪友菊 |
主权项 |
一种晶体硅太阳能电池,包括硅片(1),其特征在于,在所述硅片(1)的迎光面发射极上依次设置有二氧化硅层(2)、三氧化二铝钝化层(3)和减反射膜层(4),所述硅片(1)的背面上依次设置有二氧化硅层(5)和三氧化二铝钝化层(6)。 |
地址 |
100041 北京市石景山区八大处高科技园区西井路3号1号楼 |