发明名称 光掩模坯料、抗蚀图案成形方法以及光掩模制备方法
摘要 光掩模坯料具有抗蚀膜,该抗蚀膜包含(A)基础树脂,(B)产酸剂,和(C)碱性化合物。该抗蚀膜进一步包含(D)聚合物,该聚合物包含具有侧链的重复单元,该侧链带有氟化烃基,该氟化烃基包含与羟基键合的碳原子和与该碳原子键合的邻近碳原子,该邻近碳原子总计至少有两个与其键合的氟原子。聚合物(D)的加入确保整个抗蚀膜的均匀显影,能形成具有高CD均匀性的抗蚀图案。
申请公布号 CN101477307B 申请公布日期 2012.12.12
申请号 CN200810154778.2 申请日期 2008.06.06
申请人 信越化学工业株式会社 发明人 小板桥龙二;渡边聪;武田隆信;增永惠一;渡边保
分类号 G03F7/004(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I;G03F1/20(2012.01)I 主分类号 G03F7/004(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 任宗华
主权项 1.光掩模坯料,其上沉积有抗蚀膜,所述抗蚀膜包含(A)基础树脂,该基础树脂不溶于碱性水溶液,但是在酸的作用下变成可溶于含水碱性显影剂,(B)产酸剂,(C)碱性化合物,和(D)聚合物,该聚合物包含具有侧链的第一重复单元,该侧链具有带有羟基的第一氟化烃基,该第一氟化烃基包含与羟基键合的碳原子和与该碳原子键合的邻近碳原子,该邻近碳原子总计至少有两个与其键合的氟原子,其中基础树脂(A)包含具有芳族结构的重复单元,聚合物(D)作用在于致使在包含组分(A)-(D)的抗蚀膜与中性水的接触角比包含组分(A)-(C)且无组分(D)的抗蚀膜的接触角要大,聚合物(D)的第一重复单元具有通式(1)或(2),或者具有式(1)和(2)重复单元的组合:<img file="FSB00000875088500011.GIF" wi="826" he="695" />其中R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>各自独立地是氢或者直链、支链或环状C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基,或者R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>可以一起键连形成环,R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>的组合代表总计2-12个碳原子的二价有机基,R<sup>3</sup>和R<sup>4</sup>各自独立地是氢或者甲基,R<sup>5</sup>是其中至少一个氢原子可以被氟原子取代的直链、支链或环状C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>亚烷基,R<sup>6</sup>独立地是其中至少一个氢原子被氟原子取代的直链或支链C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>烷基,或者R<sup>5</sup>和R<sup>6</sup>可以一起键连形成环,R<sup>5</sup>和R<sup>6</sup>的组合代表总计2-12个碳原子的三价有机基,以及X<sup>1</sup>是-C(=O)-,-C(=0)-O-,-O-,-C(=O)-R<sup>7</sup>-C(=O)-,或者-C(=0)-O-R<sup>7</sup>-C(=0)-O-其中R<sup>7</sup>是直链、支链或环状C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>亚烷基,聚合物(D)进一步包含具有侧链的第二重复单元,该侧链具有不同于第一氟化烃基且不存在第一氟化烃基的第二氟化烃基,聚合物(D)的第二重复单元具有通式(3):<img file="FSB00000875088500021.GIF" wi="464" he="722" />其中R<sup>8</sup>独立地是氢或者甲基,R<sup>9</sup>是其中至少一个氢原子被氟原子取代的直链、支链或环状C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>烷基,以及X<sup>2</sup>是-C(=0)-,-C(=0)-O-,-O-,-C(=O)-R<sup>10</sup>-C(=0)-,或者-C(=O)-O-R<sup>10</sup>-C(=0)-O-其中R<sup>10</sup>是直链、支链或环状C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>亚烷基,所述聚合物(D)进一步包含另一不同于第一和第二重复单元的重复单元,其量基于全部聚合物(D)重复单元计为至多20mol%,和所述抗蚀膜相对每100重量份组分(A)包含0.1-10重量份聚合物(D)。
地址 日本东京