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<p>고체 촬상 장치의 화소 (11) 가, 기판 상에 형성된 제 1 도전형의 제 1 반도체층 (1) 과, 제 1 반도체층 상의 제 2 도전형의 제 2 반도체층 (2) 과, 제 2 반도체층 (2) 의 상부 측면 영역에 형성된 제 1 도전형의 제 3 반도체층 (5a, 5b) 과, 제 3 반도체층 (5a, 5b) 의 외측면 영역에 형성된 제 2 도전형의 제 4 반도체층 (6a, 6b) 과, 제 2 반도체층 (2) 의 하부 측면 영역에 절연막 (3a, 3b) 을 개재하여 형성된 게이트 도체층 (4a, 4b) 과, 제 2 반도체층 (2) 과 제 3 반도체층 (5a, 5b) 의 상면에 형성된 제 2 도전형의 제 5 반도체층 (7) 을 구비하고, 제 5 반도체층 (7) 과 제 4 반도체층 (6a, 6b) 이 접속되어 있고, 적어도 제 3 반도체층 (5a, 5b) 과 제 2 반도체층 (2) 의 상부 영역과 제 4 반도체층 (6a, 6b) 과 제 5 반도체층 (7) 은 섬상 형상 내에 형성되어 있다.</p> |
