| 发明名称 | BST薄膜经时击穿的调控方法 | ||
| 摘要 | BST薄膜经时击穿的调控方法，属于电子元器件技术领域，本发明包括下述步骤：A、将带有BST薄膜的双电容结构的一个输入电极接地；B、对另一个输入电极施加方波偏压。本发明可以保持BST热释电红外探测器工作在较稳定的漏电流状态下，不会影响器件的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN102820420A | 申请公布日期 | 2012.12.12 |
| 申请号 | CN201210284424.6 | 申请日期 | 2012.08.10 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 吴传贵;蔡光强;罗文博;彭强祥;孙翔宇;柯淋;张万里;王小川 |
| 分类号 | H01L37/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L37/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都惠迪专利事务所 51215 | 代理人 | 刘勋 |
| 主权项 | BST薄膜经时击穿的调控方法，其特征在于，包括下述步骤：A、将带有BST薄膜的双电容结构的一个输入电极接地；B、对另一个输入电极施加方波偏压。 | ||
| 地址 | 610000 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 | ||