一种相变阻变多层结构存储器及其制备方法

摘要

本发明属半导体存储器技术领域，涉及一种相变阻变多层结构存储器及其制备方法。本存储器中，在上电极和下电极之间设相变材料和阻变材料存储介质层。所述存储介质层为阻变材料和相变材料双层叠层或相变材料、阻变材料、相变材料三层叠层结构。本发明的相变阻变多层结构存储器为一种工艺简便、成本低廉、可有效提高器件的均匀性和稳定性，及明显降低写操作电流的存储器，所述相变材料和阻变材料叠层结构与单层阻变材料相比，电场更容易集中在相变材料的多晶低阻区域，器件的稳定性和均匀性更好，可有效提高器件可靠性，同时由于采用多层结构，阻态也较单层结构高，降低功耗。

主权项

一种相变阻变多层结构存储器，包括上电极和下电极，其特征在于，在上电极和下电极之间设相变材料和阻变材料存储介质层。