发明名称 |
一种采用石蜡外边框掩膜法制备太阳电池的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种采用石蜡外边框掩膜法制备太阳电池的方法,包括下述步骤:(1)制绒硅片形成光陷阱表面;(2)在绒面上扩散掺杂形成PN结;(3)在扩散面上打印上起掩蔽作用的石蜡掩膜;(4)在覆盖掩膜的片子上覆盖水膜;(5)利用化学液去除硅片周边和背面多余的PN结;(6)利用化学液对硅片表面进行刻蚀;(7)去除石蜡掩膜;(8)磷硅玻璃的去除;(9)镀氮化硅膜;(10)印刷背面电极和背场;(11)在石蜡掩膜对应位置处印刷银电极;(12)烧结,测试电性能。本发明采用上述方法制备太阳电池时,能有效避免水膜覆盖不良而影响硅片质量的问题,同时还能确保银电极的印刷位置精确对准,从而提升电池片的转换效率。 |
申请公布号 |
CN102820379A |
申请公布日期 |
2012.12.12 |
申请号 |
CN201210308174.5 |
申请日期 |
2012.08.28 |
申请人 |
天威新能源控股有限公司 |
发明人 |
程曦;段甜健;马熠隆;夏伟;包崇彬;李质磊;盛雯婷;张凤鸣 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 |
代理人 |
谢敏 |
主权项 |
一种采用石蜡外边框掩膜法制备太阳电池的方法,包括下述步骤:(1)制绒硅片形成光陷阱表面;(2)在绒面上扩散掺杂形成PN结; (3)在扩散面上打印上起掩蔽作用的石蜡掩膜;(4)在覆盖掩膜的片子上覆盖水膜;(5)利用化学液去除硅片周边和背面多余的PN结;(6)在石蜡的掩蔽作用下,利用化学液对硅片表面进行刻蚀;(7)去除石蜡掩膜;(8)磷硅玻璃的去除;(9)镀氮化硅膜;(10)印刷背面电极和背场;(11)在石蜡掩膜对应位置处印刷银电极;(12)烧结,测试电性能;其特征在于:进行步骤(3)的同时,在硅片上打印一圈石蜡外轮廓线,石蜡外轮廓线将石蜡掩膜完全包围,在进行步骤(7)将去除石蜡掩膜的同时,将石蜡外轮廓线也去除掉。 |
地址 |
610200 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区天威路1号 |