| 发明名称 | 半导体发光器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体发光器件。所述半导体发光器件可包括：导电支撑构件；在导电支撑构件上的反射层；在反射层上的发光结构，所述发光结构包括：第一导电型半导体层、设置在第一导电型半导体层上的有源层和在有源层上的第二导电型半导体层；与第二导电型半导体层的底部边缘接触的沟道层；形成在反射层和第二导电型半导体层之间的部分区域中的电流阻挡层；与反射层的底面接触的粘合层；和在第一导电型半导体层上的电极，其中反射层包括相对于反射层的底表面凹进的部分，以及其中粘合层包括位置对应于反射层的凹进的部分的突出的部分。 | ||
| 申请公布号 | CN102820399A | 申请公布日期 | 2012.12.12 |
| 申请号 | CN201210274146.6 | 申请日期 | 2010.08.05 |
| 申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 丁焕熙;李尚烈;宋俊午;文智炯;崔光基 |
| 分类号 | H01L33/40(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I;H01L33/44(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/40(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;董文国 |
| 主权项 | 一种半导体发光器件，包括：导电支撑构件；在所述导电支撑构件上的反射层；在所述反射层上的发光结构，所述发光结构包括：第一导电型半导体层、设置在所述第一导电型半导体层上的有源层和在所述有源层上的第二导电型半导体层；与所述第二导电型半导体层的底部边缘接触的沟道层；形成在所述反射层和所述第二导电型半导体层之间的部分区域中的电流阻挡层；与所述反射层的底面接触的粘合层；和在所述第一导电型半导体层上的电极，其中所述反射层包括相对于所述反射层的底表面凹进的部分，以及其中所述粘合层包括位置对应于所述反射层的所述凹进的部分的突出的部分。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||