发明名称 |
电子部件及其制造方法 |
摘要 |
提供能够抑制因围绕各线圈导体的周围的磁通引起的磁饱和的产生的电子部件及其制造方法。准备具有第1Ni含有率的第1绝缘体层(19)。在第1绝缘体层(19)上形成线圈导体(18)和具有第1Bi含有率并具有高于所述第1Ni含有率的第2Ni含有率的第2绝缘体层(16)。第1绝缘体层、线圈导体以及第2绝缘体层构成第1单位层(17)。层叠第1单位层以及封装用绝缘体层(15)来得到层叠体(12)。之后,烧制层叠体。在烧制层叠体的工序之后,第1绝缘体层中的被线圈导体从z轴方向的两侧夹着的第1部分中的Ni含有率低于第1绝缘体层中的第1部分以外的第2部分中的Ni含有率。 |
申请公布号 |
CN102822917A |
申请公布日期 |
2012.12.12 |
申请号 |
CN201080065948.5 |
申请日期 |
2010.10.18 |
申请人 |
株式会社村田制作所 |
发明人 |
伊藤阳一郎 |
分类号 |
H01F41/04(2006.01)I;H01F17/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01F41/04(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
舒艳君;田军锋 |
主权项 |
一种电子部件的制造方法,其具备:形成层叠体的工序,该层叠体内置有由多个线圈导体构成的螺旋状的线圈;和烧制所述层叠体的工序,该电子部件的制造方法的特征在于,形成所述层叠体的工序具备:形成第1单位层的工序,其中通过以下过程来形成第1单位层,即、准备具有第1Ni含有率的第1绝缘体层的过程;在所述第1绝缘体层上设置构成所述螺旋状的线圈的线圈导体的过程;及在所述第1绝缘体层上的所述线圈导体以外的部分设置具有第1 Bi含有率和高于所述第1 Ni含有率的第2Ni含有率的第2绝缘体层的过程;以及层叠所述第1单位层的工序。 |
地址 |
日本京都府 |