发明名称 |
提高通孔图形性能表现的方法 |
摘要 |
一种提高通孔图形性能表现的方法,包括:执行步骤S1:提供介质材料衬底;执行步骤S2:在所述介质材料衬底上依次沉积低介电常数介质层、介质过渡层、金属硬掩模层、覆盖保护层;执行步骤S3:涂胶、曝光、显影,进行金属沟槽图形刻蚀;执行步骤S4:利用具有主图形以及与所述主图形具有相同大小的冗余辅助图形的通孔光罩版进行通孔光刻;执行步骤S5:刻蚀所述主图形对应的第一通孔;执行步骤S6:所述金属互连结构的金属线和所述第一通孔一体化刻蚀。本发明所述提高通孔图形性能表现的方法简单、快捷,有效的改善通孔图形稀疏区和密集区的差别,减少图形密度负载效应,从而提高通孔尺寸的均匀性、图形质量,增大通孔光刻的工艺窗口。 |
申请公布号 |
CN102820260A |
申请公布日期 |
2012.12.12 |
申请号 |
CN201210293369.7 |
申请日期 |
2012.08.16 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
张亮 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
陆花 |
主权项 |
一种提高通孔图形性能表现的方法,其特征在于,所述提高通孔图形性能表现的方法包括:执行步骤S1:提供介质材料衬底,所述介质材料衬底为具有金属互连结构的晶圆;执行步骤S2:在所述介质材料衬底之顶层依次纵向向上沉积低介电常数介质层、介质过渡层、金属硬掩模层、覆盖保护层;执行步骤S3:对沉积在介质材料衬底上的所述介质过渡层、金属硬掩模层、覆盖保护层涂覆光刻胶,并曝光、显影,进行金属沟槽图形刻蚀,所述金属沟槽图形刻蚀停止在所述介质过渡层上;执行步骤S4:利用具有主图形以及与所述主图形具有相同大小的冗余辅助图形的通孔光罩版进行通孔光刻;执行步骤S5:刻蚀所述主图形对应的第一通孔,并在所述介质材料衬底中形成图形;执行步骤S6:所述金属互连结构的金属线和所述第一通孔一体化刻蚀,将所述沟槽刻蚀到预设深度,并使所述第一通孔与位于所述介质材料衬底中的金属互连结构连通。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 |