| 发明名称 | 半绝缘体上硅半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半绝缘体上硅半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，实现了位于源区和漏区中的至少一个之下的水平绝缘层，由此减小了结电容。在另一个实施例中，实现了位于源区和漏区中的至少一个之下的水平绝缘层和位于栅极至少一个侧面下方的垂直绝缘层。附加的垂直绝缘层可以减小穿通泄露。此外，还公开了制造上述半导体器件的方法，其中利用外延生长的额外的半导体材料层和隔离槽来形成上述水平和垂直绝缘层。 | ||
| 申请公布号 | CN102820320A | 申请公布日期 | 2012.12.12 |
| 申请号 | CN201110153290.X | 申请日期 | 2011.06.09 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 刘金华 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 金晓 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：位于衬底上的栅极；位于所述栅极两侧的源区和漏区；水平绝缘层，位于所述源区和漏区中的至少一个下方，所述水平绝缘层大体上与衬底表面平行。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 | ||