发明名称 可加磁场的透射电子显微镜样品杆
摘要 本发明公开了一种可加磁场的透射电子显微镜样品杆,包括头部框架,所述头部框架沿样品杆长度延伸方向具有第一端部和第二端部;载台,用于承载样品,所述载台设有供入射电子束通过的通道,所述载台设置在头部框架内靠近头部框架第一端部;第一磁线圈,设置在头部框架内靠近头部框架第二端部,在通电流时产生第一磁场,所述第一磁场对样品产生磁化作用;以及第二磁线圈,设置在头部框架内靠近头部框架第二端部,位于所述第一磁线圈的下方,通电流时产生第二磁场,所述第二磁场能够使在第一磁场作用下发生偏转的电子束向入射方向回偏。本发明可用来研究在外加磁场的作用下磁性材料的磁畴变化。
申请公布号 CN102820196A 申请公布日期 2012.12.12
申请号 CN201210269758.6 申请日期 2012.07.31
申请人 中国科学院物理研究所 发明人 杨新安;姚湲;段晓峰;田焕芳
分类号 H01J37/20(2006.01)I;H01J37/26(2006.01)I 主分类号 H01J37/20(2006.01)I
代理机构 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 代理人 康正德;范晓斌
主权项 一种可加磁场的透射电子显微镜样品杆,包括头部框架,所述头部框架沿样品杆长度延伸方向具有第一端部和第二端部;载台,用于承载样品,所述载台设有供入射电子束通过的通道,所述载台设置在头部框架内靠近头部框架第一端部;第一磁线圈,设置在头部框架内靠近头部框架第二端部,在通电流时产生第一磁场,所述第一磁场对样品产生磁化作用;以及第二磁线圈,设置在头部框架内靠近头部框架第二端部,位于所述第一磁线圈的下方,在通电流时产生第二磁场,所述第二磁场能够使在所述第一磁场作用下发生偏转的电子束向入射方向回偏。
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