一种基于SOI衬底的双多晶平面应变BiCMOS集成器件及制备方法

摘要

本发明公开了一种的基于SOI衬底的双多晶平面应变BiCMOS集成器件及制备方法，在SOI衬底上，制备深槽隔离，形成集电极接触区，氮化物侧墙，基区窗口，并在基区生长SiGe和Poly-Si，形成SiGe HBT器件；光刻NMOS器件有源区沟槽，在NMOS器件有源区制备栅介质层和栅多晶，形成NMOS器件；光刻PMOS器件有源区沟槽，在PMOS器件有源区上制备漏极和栅极，形成PMOS器件；光刻引线，制成 BiCMOS集成器件及电路。本发明采用自对准工艺，并充分了利用张应变Si材料电子迁移率高于体Si材料和压应变SiGe材料空穴迁移率高于体Si材料特点，制备出了性能增强的BiCMOS集成电路。

主权项

一种基于SOI衬底的双多晶平面应变BiCMOS集成器件，其特征在于，NMOS器件为应变Si平面沟道，PMOS器件为应变SiGe平面沟道，双极器件为SOI双多晶SiGe HBT器件。