循环氧化与蚀刻的设备及方法

摘要

在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中，该材料层可为半导体器件的浮置栅极。

主权项

一种用于处理基板的设备，该设备包括：工艺腔室，该工艺腔室中设置有基板支撑件，该基板支撑件用以支撑基板；温度控制系统，用于将被支撑在该支撑件上的基板温度控制在低于约100℃的第一温度；气体源，该气体源与该腔室流体连通，以至少传输含氧气体、不活跃气体以及蚀刻气体至该工艺腔室中；等离子体源，该等离子体源与该工艺腔室流体连通，以激发该含氧气体与该蚀刻气体中的至少一种，而形成氧化等离子体或蚀刻等离子体的至少一种；以及热源，用以将该基板加热至高于该第一温度的第二温度。