| 发明名称 | 热辅助磁记录介质和磁存储装置 | ||
| 摘要 | 一种热辅助磁记录介质，在具有：基板、形成于该基板上的多个基底层和以具有L10结构的合金为主成分的磁性层的磁记录介质中，所说的基底层的至少一个以MgO为主成分，并且含有选自SiO2、TiO2、Cr2O3、Al2O3、Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、MnO、TiO和ZnO中的至少一种氧化物。该热辅助记录介质，具有磁性粒径微细，磁性粒子间的交换耦合充分低，并且矫顽力分散低的特性。 | ||
| 申请公布号 | CN102822892A | 申请公布日期 | 2012.12.12 |
| 申请号 | CN201180016253.2 | 申请日期 | 2011.02.03 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 神边哲也;桥本笃志;福岛隆之 |
| 分类号 | G11B5/738(2006.01)I;G11B5/02(2006.01)I;G11B5/64(2006.01)I;G11B5/65(2006.01)I | 主分类号 | G11B5/738(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 段承恩;杨光军 |
| 主权项 | 一种热辅助磁记录介质，其特征在于，在具有基板、形成于该基板上的多个基底层和以具有L10结构的合金为主成分的磁性层的磁记录介质中，所说的基底层的至少一个以MgO为主成分，并且含有选自SiO2、TiO2、Cr2O3、Al2O3、Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、MnO、TiO和ZnO中的至少一种氧化物。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||