一种用于浅沟槽隔离结构的化学机械研磨方法

摘要

本发明公开了一种用于浅沟槽隔离结构的化学机械研磨方法，包括：利用具有第一选择比的研磨液进行研磨；利用具有第二选择比的研磨液进行研磨，直到研磨垫接触氮化硅层；利用具有第三选择比的研磨液进行预定时间的过研磨；用水清洗晶圆表面；其中，所述选择比为研磨液对二氧化硅的研磨速率与研磨液对氮化硅的研磨速率的比值，所述第二选择比高于所述第一选择比和第三选择比。本发明通过采用低选择比的研磨液完成过研磨工艺步骤，从而消除因应力损伤而造成的浅沟槽隔离结构凹陷缺陷，提高了集成电路制造的成品率。

主权项

一种用于浅沟槽隔离结构的化学机械研磨方法，包括：利用具有第一选择比的研磨液进行研磨；利用具有第二选择比的研磨液进行研磨，直到研磨垫接触氮化硅层；利用具有第三选择比的研磨液进行预定时间的过研磨；用水清洗晶圆表面；其中，所述选择比为研磨液对二氧化硅的研磨速率与研磨液对氮化硅的研磨速率的比值，所述第二选择比高于所述第一选择比和第三选择比。