| 发明名称 | 硅单晶的拉制方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及从容纳在坩埚中的熔体拉制硅单晶的方法，其包括：将晶种浸入熔体；通过在一拉晶速度下从熔体抬高晶种使单晶在晶种上结晶；将单晶的直径拓宽至锥形部分中的定点直径，包括控制拉晶速度以在锥形部分中导致单晶生长前沿的曲率倒转。 | ||
| 申请公布号 | CN101922041B | 申请公布日期 | 2012.12.12 |
| 申请号 | CN201010143832.0 | 申请日期 | 2010.03.29 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | M·贝尔 |
| 分类号 | C30B15/20(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 主分类号 | C30B15/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 苗征;于辉 |
| 主权项 | 从容纳在坩埚中的熔体拉制硅单晶的方法，其包括：将晶种浸入熔体；通过在一拉晶速度下从熔体抬高晶种使单晶在晶种上结晶；将单晶的直径拓宽至锥形部分中的定点直径，包括控制拉晶速度以在锥形部分中导致单晶生长前沿的曲率倒转，所述曲率倒转为从朝向晶种看时是凹曲线的生长前沿到凸曲线的生长前沿的曲率倒转。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||