发明名称 |
溅射装置 |
摘要 |
本发明提供一种低成本的溅射装置,其可促进从靶上飞溅的原子的离子化以进行稳定的自溅射。其包括:与在真空腔(2)内应处理的基板W相对配置的靶(3),在靶的溅射面的前方形成磁场的磁铁组合件(4),以及向靶施加负的直流电位的DC电源(5)。在靶的溅射面的背面一侧的区域设置第一线圈(6),所述第一线圈电连接在所述第一电源和所述靶的输出之间;当由所述溅射电源向所述靶施加负电位时,所述第一线圈被通电并在溅射面的前方产生磁场。 |
申请公布号 |
CN102046837B |
申请公布日期 |
2012.12.12 |
申请号 |
CN200980119324.4 |
申请日期 |
2009.06.04 |
申请人 |
株式会社爱发科 |
发明人 |
森本直树;近藤智保;长屿英人;森大介;佐野昭文 |
分类号 |
C23C14/35(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/35(2006.01)I |
代理机构 |
北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 |
代理人 |
齐永红 |
主权项 |
一种溅射装置,其特征在于包括:与在真空腔内应处理的基板相对配置的靶,在所述靶的溅射面的前方形成磁场的磁铁组合件,以及向所述靶施加负直流电位的第一电源;在所述靶的溅射面的背面一侧设置第一线圈,所述第一线圈电连接在所述第一电源和所述靶的输出之间;当由所述第一电源向所述靶施加负电位时,所述第一线圈被通电并在溅射面的前方产生磁场;所述溅射装置还包括:电极,其设置在所述真空腔内,在溅射面前方所述靶与所述基板之间围成的空间;以及第二电源,其在所述电极上施加正直流电位;沿所述真空腔的侧壁设置第二线圈,所述第二线圈电连接在所述第二电源和所述电极的输出之间;当由所述第二电源向所述电极施加正电位时,所述第二线圈被通电并在溅射面的前方产生磁场。 |
地址 |
日本神奈川县 |