| 发明名称 | 一种半导体结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种半导体结构，包括：半导体衬底；栅极堆叠，其形成于所述半导体衬底上；源/漏区，其形成于半导体衬底中；层间介质层，其覆盖所述栅极堆叠和所述源/漏区；接触孔，其贯穿所述层间介质层并延伸到所述源/漏区内部；接触金属，其填充所述接触孔；其中，所述接触金属延伸入所述源/漏区内的部分与源/漏区之间在侧壁和底部存在共形的金属硅化物层；其中金属硅化物层与所述源/漏区之间存在共形的非晶化物层。本实用新型通过刻蚀源/漏区，使其暴露区域包括底部以及侧壁，增大了接触孔中接触金属和源/漏区的接触面积，从而减小了接触电阻；采用选择性沉积的方式形成非晶化物，有效地消除了由非晶化离子注入所引起的末端缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN202601575U | 申请公布日期 | 2012.12.12 |
| 申请号 | CN201190000067.5 | 申请日期 | 2011.04.18 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/8232(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人 | 朱海波 |
| 主权项 | 半导体结构，包括：半导体衬底(101)；栅极堆叠，其形成于所述半导体衬底(101)上；源/漏区(102)，其形成于半导体衬底(101)中；层间介质层(105)，其覆盖所述栅极堆叠和所述源/漏区(102)；接触孔(110)，其贯穿所述层间介质层(105)并延伸到所述源/漏区(102)内部；接触金属(114)，其填充所述接触孔(110)；其特征在于，所述接触金属(114)延伸入所述源/漏区(102)内的部分与源/漏区(102)之间在侧壁和底部存在共形的金属硅化物层(113)；其中金属硅化物层(113)与所述源/漏区(102)之间存在共形的非晶化物层(111)。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||