存储器电路中可调的流水线

摘要

本发明提供了一种技术，该技术用于操作存储器电路(18、300、400、908、1208)，以针对存储器电路的至少一些操作点改进存储器电路(1002、1004、1006)的性能和/或功耗(1052、1054、1056)，并且包括：至少部分基于存储器的操作点调节(1100)多个可操作流水线级(401、403)。在本发明的至少一个实施例中，用于操作存储器电路的方法包括：至少部分基于存储器电路产生的反馈信号(feedback、flush_ok、flush_ok1、flush_ok2、flush_ok3、flush_ok4、cycle_flush_through_ok)选择操作存储器电路的模式(flush_mode、flush1、flush2、mem_flush_control_bits)。该技术包括基于存储器电路的选择的操作模式使用多个流水线级操作(图5、图8)存储器电路。在本发明的至少一个实施例中，该技术包括感测(608、708)与各个流水线级(401)相关的时序容限(容限)并且基于此产生反馈信号。

主权项

一种操作存储器电路的方法，包括：至少部分基于所述存储器电路产生的反馈信号，选择操作所述存储器电路的模式；以及使用多个流水线级来操作所述存储器电路，所述流水线级的数量基于所选择的所述存储器电路的操作模式。