| 发明名称 | 半导体集成电路的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体集成电路的制作方法，首先提供基底，且该基底上形成有至少一金属硬掩模。接下来对该金属硬掩模进行图案化步骤，图案化该金属硬掩模以形成图案化金属硬掩模，随后对该图案化金属硬掩模进行水等离子体处理。 | ||
| 申请公布号 | CN102820254A | 申请公布日期 | 2012.12.12 |
| 申请号 | CN201110150356.X | 申请日期 | 2011.06.07 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 陈俊隆 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 一种半导体集成电路的制作方法，包括：提供基底，该基底上形成有至少一金属硬掩模；进行图案化步骤，图案化该金属硬掩模以形成图案化金属硬掩模；以及进行水等离子体处理。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||