一种采用势垒高度渐变量子垒的LED结构及其制备方法

摘要

本发明涉及一种采用势垒高度渐变量子垒的LED结构及其制备方法，属于光电子技术领域。所述的LED结构中具有多量子阱层，其中量子垒的势垒高度从n侧到p侧逐步降低，此种新结构改善了空穴的输运，使得空穴在能分布于更多的量子阱内，同时也在总体上降低了阱垒之间的极化强度。这些因素整体上提高了电子和空穴的浓度分布以及自发辐射速率的强度，从而有效地提高了器件的内量子效率与光功率输出。

主权项

一种采用势垒高度渐变量子垒的LED结构，包括衬底层上依次是成核层、缓冲层、n型导电层、多量子阱层和p型导电层，在n型导电层上和p型导电层上分别是欧姆接触层；其特征在于，所述的多量子阱层是交替生长的厚度为2‑20nm的AlxGa1‑x‑yInyN阱和厚度为10‑30nm的AluGa1‑u‑vInvN垒，重复周期2‑30个；其中，0＜x≤u＜1，0＜v≤y＜1；自n侧至p侧x和y的取值恒定不变，u的取值按等差数列逐渐降低，v的取值按等差数列逐渐增加，u的取值大于等于x，v的取值小于等于y。