| 发明名称 | 半导体制造装置用耐腐蚀性构件及其制法 | ||
| 摘要 | 秤量Yb2O3与SrCO3为摩尔比1:1，调制调合粉末。将该调合粉末单轴加压成形，制作为圆盘状成形体。将成形体在大气气氛中进行热处理，合成复合氧化物。将合成的复合氧化物用研钵粗粉碎，进行湿式粉碎。将粉碎后取出的浆料在氮气流中干燥，制为合成原料粉末。将该合成原料粉末单轴加压成形，制作为圆盘状成形体。将得到的成形体用热压法烧成，得到半导体制造装置用耐腐蚀性构件。该耐腐蚀性构件，由SrYb2O4晶相构成，开孔率为0.1%，NF3腐蚀速率值小于由Y2O3的晶相构成的。 | ||
| 申请公布号 | CN102822116A | 申请公布日期 | 2012.12.12 |
| 申请号 | CN201180015911.6 | 申请日期 | 2011.03.18 |
| 申请人 | 日本碍子株式会社 | 发明人 | 渡边守道;胜田祐司;早濑徹 |
| 分类号 | C04B35/50(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人 | 徐申民;李晓 |
| 主权项 | 一种半导体制造装置用耐腐蚀性构件，含有除Mg以外的2A族元素和除La以外的3A族元素的复合氧化物的晶相。 | ||
| 地址 | 日本国爱知县名古屋市瑞穗区须田町2番56号 | ||