发明名称 |
用于制造半导体器件的方法和设备 |
摘要 |
将待处理衬底与支承衬底接合,该支承衬底的外形大于待处理衬底的外形,且在待处理衬底与支承衬底之间设置有光热转换层和粘合层,且即使对待处理衬底的与接合表面相反的表面进行处理,也能防止待处理衬底的被处理表面上产生外观损坏。在待处理衬底(3)的一个表面上形成粘合层(4),在支承衬底(1)的一个表面上形成光热转换层(2),该支承衬底(1)的表面的外形大于待处理衬底的该表面的外形,且通过将该衬底(3)接合到光热转换层(2)的该表面上且粘合层(4)设置在该衬底(3)与光热转换层(2)之间获得层叠主体。将层叠主体放置在旋涂机设备的室(8)中的旋转夹盘(9)上,并向光热转换层(2)的从待处理衬底暴露的部分(2a)上滴落碱性水溶液(11),然后通过高压清洁喷嘴(12)清洁该暴露部分。接着,对衬底(3)的该表面进行抛光、湿法处理等,并制造半导体器件。 |
申请公布号 |
CN102037553B |
申请公布日期 |
2012.12.12 |
申请号 |
CN200980116548.X |
申请日期 |
2009.04.15 |
申请人 |
富士电机株式会社 |
发明人 |
浦野裕一;风间健一 |
分类号 |
H01L21/683(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/683(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
张鑫 |
主权项 |
一种用于制造半导体器件的方法,包括:在被处理衬底的一个表面上形成粘合层的步骤;在支承衬底的一个表面上形成光热转换层的步骤,所述支承衬底的表面的外形大于所述被处理衬底的所述表面的外形;将所述被处理衬底接合到所述光热转换层的表面上以获得多层构件的步骤,其中所述粘合层置于所述被处理衬底与所述光热转换层的表面之间;从所述多层构件去除所述光热转换层中的从所述被处理衬底突出的部分,并清洁所述多层构件的从中去除了所述光热转换层的部分的步骤;对进行了所述去除和清洁步骤之后的多层构件,在所述被处理衬底的位于与所述支承衬底接合的面的相反侧的面上执行处理的步骤;以及使处理之后的所述被处理衬底从所述粘合层分离的步骤。 |
地址 |
日本神奈川县 |