| 发明名称 | 一种栅极制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种栅极制造方法，包括：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成栅介质层，多晶硅层、硅化钨层；图案化所述硅化钨层、多晶硅层；还包括：对图案化的所述硅化钨层和所述多晶硅层进行普通高温炉退火，工艺条件为：N2流量≥25L/分钟，使腔体内2～4分钟后O2的含量为ppm级别，温度为650～850℃，高温炉排气端的压力为87Pa～385Pa，退火时间15-25分钟；在普通高温炉内执行氧化工艺，在所述硅化钨层和所述多晶硅层的侧壁形成侧墙。本发明方法省略了一个快速热退火步骤，减少了工艺步骤和使用设备，缩短了工艺时间，极大的提高了生产效率。 | ||
| 申请公布号 | CN102157360B | 申请公布日期 | 2012.12.12 |
| 申请号 | CN201010110200.4 | 申请日期 | 2010.02.11 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 范建国;刘培芳;陆肇勇;蔡丹华 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种栅极制造方法，包括以下步骤：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成栅介质层，多晶硅层、硅化钨层；图案化所述硅化钨层、多晶硅层；其特征在于，还包括：首先，对图案化的所述硅化钨层和所述多晶硅层进行普通高温炉退火，工艺条件为：N2流量≥25L/分钟，使腔体内2～4分钟后O2的含量为ppm级别，温度为650～850℃，高温炉排气端的压力为87pa～385pa，退火时间15‑25分钟；其后，在普通高温炉内执行氧化工艺，在所述硅化钨层和所述多晶硅层的侧壁形成侧墙。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||