| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括栅极，以及栅极两侧源区和漏区，其中栅极绝缘层位于沟道区上方的部分的厚度小于该栅极绝缘层位于漏区与栅极交叠部分的厚度。较厚的第一厚度部分保证了半导体器件在漏区到栅极的区域可以承受更高的电压，而较薄的第二厚度部分则保证了器件的优异的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102820335A | 申请公布日期 | 2012.12.12 |
| 申请号 | CN201110152931.X | 申请日期 | 2011.06.09 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 刘金华 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 金晓 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：位于衬底上的栅极；位于所述栅极两侧的源区和漏区；栅极绝缘层，位于所述衬底与所述栅极之间，所述栅极绝缘层具有第一厚度部分和第二厚度部分，其中所述第一厚度部分至少位于所述漏区与栅极之间，所述第一厚度部分的厚度大于所述第二厚度部分的厚度。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 | ||